高性能石墨烯霍尔元件及其批量制备

来源 :中国物理学会2013年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wlh0403
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我们采用动力学蒙特卡罗模拟,对对称性破缺的简立方晶体(001)表面上经向和纬向不同热粗糙度对量子线(纳米线)生长的影响进行研究。模拟结果显示:在具有各向异性的表面上,基于晶核的量子线生长会沿着热粗糙度较小的方向进行,热粗糙度较大的方向上生长缓慢,法向几乎没有生长;量子线生长速率会随着热粗糙度减小而加快,当经向和纬向的热粗糙度差距较明显时,量子线的生长形貌较好。
以InSb、InAs 和 GaSb为代表的III-V族半导体,具有极其优异的电子输运特性和独特的小能隙能谱结构,是研制新型超高速纳米电子器件的重要候选材料。然而实验上发现,InAs纳米线随其直径、生长温度、生长气体分压等不同呈现多种多态晶体结构,其中,闪锌矿(ZB)和纤锌矿(WZ)是两种最主要结构,多年努力,其能量本质、动力学过程仍不甚清楚[1]。
With the development of integration scale,heat dissipation has become a more and more serious problem,which can not be neglected in high density electronic circuits.
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