【摘 要】
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三元Cu-Bi-S基化合物因其元素在地壳中的丰度、环境友好被认为是可取代广泛研究的 CuInS2化合物而作为新的光伏材料1.三元Cu-Bi-S基化合物,诸如 Cu4Bi4S9(1.14eV),Cu9BiS
【机 构】
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北京理工大学纳米光子学与超精密光电系统北京市重点实验室,北京市海淀区中关村南大街 5号,100081
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三元Cu-Bi-S基化合物因其元素在地壳中的丰度、环境友好被认为是可取代广泛研究的 CuInS2化合物而作为新的光伏材料1.三元Cu-Bi-S基化合物,诸如 Cu4Bi4S9(1.14eV),Cu9BiS6(1.25eV)和 Cu3BiS3(1.3eV)均已被报道,且利用Cu4Bi4S9纳米带所制备的光伏器件,效率已到达6.2％2.但已报道的Cu-Bi-S基化合物均偏离最优光伏带隙(约1.5eV).本报道中,我们首次通过溶剂热法合成了均一的单晶Cu3Bi3S7纳米棒,SEM 表征其纳米棒长约500nm,XRD 表征确认了其晶体结构.吸收光谱测得其光学带隙为1.4eV,非常接近最佳光伏带隙.电化学循环伏安法测试得出其导带底和价带顶的位置分别为-3.75eV和-5.15eV.作为有潜力的光伏材料,基于Cu3Bi3S7纳米棒的光伏器件正在制备中.
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