【摘 要】
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CoFeB作为一种半金属材料具有极高的自旋极化率,在磁随机存储器中有着广阔的应用前景。非晶CoFeB薄膜具有丰富的磁各向异性,这种各向异性受到界面层的调控。本文研究了过
【机 构】
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清华大学材料科学与工程系先进材料教育部重点实验室 北京 100084
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CoFeB作为一种半金属材料具有极高的自旋极化率,在磁随机存储器中有着广阔的应用前景。非晶CoFeB薄膜具有丰富的磁各向异性,这种各向异性受到界面层的调控。本文研究了过渡层/CoFeB/Ta异质结的面内单轴各向异性和CoFeB/X异质结多层膜的垂直各向异性随界面改变而发生的变化,探讨了界面对CoFeB基异质结磁各向异性的影响。在具有单轴各向异性的过渡层/CoFeB/Ta异质结中,发现W上生长的CoFeB非晶化程度高,轨道磁矩大,具有明显的单轴各向异性;Cu/CoFeB界面处存在纳米晶,CoFeB的轨道磁矩小,因而单轴各向异性弱。在具有垂直各向异性的CoFeB/X异质结多层膜中,不同界面上的合金化程度不同,我们发现随着界面合金化程度的提高,薄膜在垂直方向的矫顽力降低,磁化强度升高。
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