【摘 要】
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本文采用原子层淀积(ALD)的方法在碳化硅(SiC)上生长(HfO2)x(Al2O3)1-xhigh-k栅介质材料,运用X射线光电子能谱(XPS)分析了样品各元素的含量及存在形式,并从栅介质的XPS价带谱
【机 构】
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西安电子科技大学宽带隙半导体技术国防重点学科实验室,陕西 西安 710071
【出 处】
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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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本文采用原子层淀积(ALD)的方法在碳化硅(SiC)上生长(HfO2)x(Al2O3)1-xhigh-k栅介质材料,运用X射线光电子能谱(XPS)分析了样品各元素的含量及存在形式,并从栅介质的XPS价带谱中采用线性外推法提取出各栅介质的价带最大值,从而计算获得不同组分介质的价带带偏及导带带偏,结果表明,随着(HfO2)x(Al2O3)1-x栅介质HfO2组分x的减小,价带带偏及导带带偏增加.
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