【摘 要】
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氮化铝(AlN)晶体是新型宽禁带半导体材料的典型代表,具有6.2eV的直接带隙、高热导率、高击穿场强、高电子饱和速率、高抗辐射能力等优良特性,且无毒性,对人体无害,对环境无污染,以及原料来源丰富.因此,氮化铝晶体是制作紫外光电器件以及高频、大功率、抗辐射的电子器件的理想材料.本文介绍物理气相传输(PVT)法制备大尺寸氮化铝晶体的相关工作,详细研究了生长环境(如坩埚及保温层材料等)、生长区域的温度条
【机 构】
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深圳大学光电子器件与系统(教育部/广东省)重点实验室,深圳,518060
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
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氮化铝(AlN)晶体是新型宽禁带半导体材料的典型代表,具有6.2eV的直接带隙、高热导率、高击穿场强、高电子饱和速率、高抗辐射能力等优良特性,且无毒性,对人体无害,对环境无污染,以及原料来源丰富.因此,氮化铝晶体是制作紫外光电器件以及高频、大功率、抗辐射的电子器件的理想材料.本文介绍物理气相传输(PVT)法制备大尺寸氮化铝晶体的相关工作,详细研究了生长环境(如坩埚及保温层材料等)、生长区域的温度条件、气氛气压等工艺条件对氮化铝晶体的生长尺寸、方向等结晶特性的影响;优化生长工艺,探索适宜于厘米及以上尺寸的氮化铝单晶生工艺条件,制备出的最大单晶尺寸为2.2厘米;同时,开展非极性面氮化铝晶体的制备研究,得到尺寸为l厘米的m面氮化铝单晶;最后,研究氮化铝晶体的相关生长机制.
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