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我们设计制作的25-33GHz单片低噪声放大器,采用电子束制作0.20μm"T"型栅,在频带内的噪声系数小于2.3dB,小信号增益大于15dB,增益平坦度小于±0.5dB,输入和输出驻波比分别小于2,芯片尺寸为3.0×1.9×O.1mm3,微波性能与国外同类产品水平相当.
25-33GHz单片低噪声放大器的研制
【摘 要】
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我们设计制作的25-33GHz单片低噪声放大器,采用电子束制作0.20μm"T"型栅,在频带内的噪声系数小于2.3dB,小信号增益大于15dB,增益平坦度小于±0.5dB,输入和输出驻波比分别小于2,芯片尺寸为3.0×1.9×O.1mm3,微波性能与国外同类产品水平相当.
【出 处】
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第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会
【发表日期】
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2005年4期
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