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本研究采用传统固相反应合成法制备了(1-x)Pb(Sc1/2Ta1/2)O3-xPbTiO3(PSTTx)压电内瓷，研究了该陶瓷的铁电性能以及微结构。X-射线衍射分析(XRD)结果表明，PSTTx晶胞c/a值随PT掺入量增加而变大，PSTTx陶瓷由三方相向四方相结构转变，在x=0.45处PSTTx三方相和四方相共存，为准同型相界处。扫描电镜(SEM)结果表明，MPB处PSTTx晶粒细化导致所需电畴翻转能E增加，剩余极化Pr=21μC/cm2。在准同型相界处，PSTTx压电系数d33=481 pC/N，机电耦合系数Kp=0.58，并具有较低的介电损耗。