凹槽栅场板结构的AlGaN/GaN HEMT特性分析

来源 :第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xiaobaiban

【摘要】

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本文对比了研制的(a)无场调制板结构,(b)有场调制板结构但无凹槽栅,(c)结合场调制板结构和凹槽栅工艺三种AlGaN/GaNHEMT的动态I-V特性和微波特性,认为场调制板结构和凹槽栅工

【作者】

：

任春江薛舫时陈辰陈堂胜

【机构】

：

南京大学,210008

【出处】

：

第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

【发表日期】

：

2006年期

【关键词】

：

槽栅工艺板结构输出功率调制微波特性器件功率特性电流崩塌电场分布结合场栅宽技术沟道

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本文对比了研制的(a)无场调制板结构,(b)有场调制板结构但无凹槽栅,(c)结合场调制板结构和凹槽栅工艺三种AlGaN/GaNHEMT的动态I-V特性和微波特性,认为场调制板结构和凹槽栅工艺可以有效改善AlGaN/GaN HEMT器件沟道内电场分布,显著减小电流崩塌现象,提高器件的微波输出功率特性.利用此技术研制的1mm栅宽AlGaN/GaN HEMT输出功率大于10W.

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