【摘 要】
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采用原位光辐照的MOCVD方法在c面蓝宝石衬底上制备ZnO薄膜。SEM表面照片表明,随着光辐照强度的增加,ZnO纳米柱的横向尺寸变大。从热力学和晶体生长动力学角度分析,认为光
【机 构】
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State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, J
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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采用原位光辐照的MOCVD方法在c面蓝宝石衬底上制备ZnO薄膜。SEM表面照片表明,随着光辐照强度的增加,ZnO纳米柱的横向尺寸变大。从热力学和晶体生长动力学角度分析,认为光的辐照引入的热效应使衬底进一步升温,缓解晶格失配,使ZnO纳米柱趋向于横向生长以降低表面能：同时,更高的温度以及高能光子和表面原子的非弹性碰撞都有利于表面原子迁移,促进纳米柱侧向生长。室温PL测试结果预示着大尺寸ZnO纳米柱内部可能会存在更多的应力。
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