【摘 要】
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该文着重研究了目前研究人员研制的线列64元锑化铟(InSb)红外探测器与自积分型(SI)和电容反馈跨阻放大器型(CTIA)两类MOSFET开关读出电路之间的互联技术问题.论文中针对这两
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该文着重研究了目前研究人员研制的线列64元锑化铟(InSb)红外探测器与自积分型(SI)和电容反馈跨阻放大器型(CTIA)两类MOSFET开关读出电路之间的互联技术问题.论文中针对这两类读出电路进行了较为详细的工作过程说明、性能分析以及信号传输的理论推导和计算,得出了读出电路的关键数-传输效率和满阱容量同探测器光电流、动态电阻、电容以及积分时间之间的关系表达式,同时也对互联后焦平面阵列的总噪声进行了分析与估算,最终得到了焦平面阵列总体性能与诸参数之间的关系,指明了提高焦平面阵列性能各参数应达到的要求及努力的方向.文中也对这两类读出电路的优缺点进行了总结与比较.最后通过实验验证了大部分分析结果.在研究中,发现了从焦平面阵列杜瓦结构等方面提高产面阵列性能的新方法,并通过测试,证明了这些方法对降低噪声的重要作用.经过研究,解决了线列InSb红外探测器与自积分型和电容反馈跨阻放大器读出电路之间的互联参数关系及要求的问题.研制成采用电容反馈跨阻放大器型读出电路的红外焦平面阵列,经外场实验证明,其性能已接近某国外同类焦平面阵列的水平.
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