一维纳米范围半导体材料，包括纳米管、纳米线和纳米带，由于他们自身良好的性能以及在不同领域广泛地应用，人们对其研究也越来越深入。在这些半导体材料中，Ⅱ-Ⅵ族的半导体材料尤为引人注目。硫化锌(ZnS)是Ⅱ-Ⅵ族一种重要的半导体材料，它的禁带宽度约为3.7eV，它被广泛地应用于电致发光器、平面显示器、红外窗、传感器和激光器。硒化锌（ZnSe）作为Ⅱ-Ⅵ族中重要的半导体材料之一，它的禁带宽度约为2.67eV，具有较大的激子结合能（21meV），因此在发光器、太阳能电池、传感器和光学材料上有潜在的应用。本文采用溶剂热法，以两亲分子聚合物十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为导向、配合等作用，研究了在锌基片上制备ZnS和ZnSe半导体材料及ZnS/ZnSe异质结构纳米复合材料。本文所用的硫源为升华硫粉，硒源为硒粉，锌源为锌基片，锌基片同时还作为反应基底。我们通过改变表面活性剂和溶剂的种类，探究了它们对ZnS和ZnSe半导体材料形貌的影响。我们通过改变反应温度和反应时间等因素，探究ZnS和ZnSe半导体材料的形成过程。我们对产物进行了XRD、EDX、SEM和TEM等表征。最后我们对ZnS、ZnSe和ZnS/ZnSe异质结构进行了室温发射光谱(PL)的测定，并且研究了它们的发光性质。