在全球性的能源短缺和环境恶化问题日益突出的今天，以功率半导体器件为基础的现代电力电子技术在电力、输运、交通、照明、工业制造和医疗设备等领域发挥着极其重要的作用。在诸多应用场合，例如桥式电路，半导体功率开关器件需要反并联一个续流二极管（Free-Wheeling Diode，FWD）配对使用。高压二极管由于基区掺杂浓度低，在反向恢复的动态过程中，在远没有达到静态击穿电压的条件下就会发生动态雪崩，影响系统在高压高频领域中的应用。如何提高高压FWD的动态雪崩耐量是当前国内外功率器件研究领域的前沿课题。本文以提高3.3kV功率FWD动态雪崩耐量为目标，进行了深入的仿真研究。本文的核心思想是：通过降低阳极发射效率，并结合寿命控制和高斯分布缓冲层结构，改善二极管有源区的抗动态雪崩特性；以及在合理的终端结构设计的基础上，通过引入P型缓冲层形成电阻区结构，改善终端区的抗动态雪崩特性。本文借助二维器件仿真工具，完成了以下工作：（1）针对二极管的有源区部分，分析了二极管关键结构参数的影响，其中包括：阳极P区掺杂浓度、寿命控制程度、基区宽度和缓冲层结构等。仿真结果表明，相比参考结构优化后的有源区动态雪崩耐量可提高63%左右。（2）设计了两种适用于耐压等级为3.3kV器件的终端结构——结终端延伸（Junction Termination Extension，JTE）和横向变掺杂(Variation of LateralDoping，VLD)，仿真计算得出的终端效率均达到90%以上，首次比较了这两种终端的动态雪崩特性，仿真结果表明VLD相比JTE具有更好的抗动态雪崩能力；（3）创新性的提出一种通过P型缓冲层形成的电阻区结构，成功的改善了终端区动态雪崩引起的电流集中问题，优化后的终端区动态雪崩耐量提高35%左右。（4）综合结终端区和有源区（平行平面结）的分析结果，给出了一个具有较高动态雪崩耐量的3.3kV二极管结构设计，功率密度达2.14MW/cm2时二极管仍然能够实现顺利关断。数值分析结果表明，本文给出的3.3kV功率FWD结构在保证器件基本特性参数合理的前提下，能够显著提高器件的动态雪崩耐量。这些特性表明，本文所做的工作可以作为研制具有较高动态雪崩耐量的高性能3.3kV功率FWD的一种现实参考。