通信技术的飞速发展离不开收发信机的支撑,而射频功率放大器作为发射机的核心部件,其性能的好坏对整个硬件系统都有着巨大的影响。日新月异的无线通信技术,对射频功率放大器的性能提出了越来越严苛的要求,而效率和线性度作为射频功率放大器最为关键的指标,一直就是射频功率放大器技术发展的突破点。双频功放可工作在两个独立的频段,Doherty功放在效率提升上具有其他结构的功放无法比拟的优势,这些都使得双频功放和Doherty功放成为当前的研究热点。本文主要针对多频段功率放大器和Doherty功放进行了研究,分别基于 GaN(Gallium Nitride)管和 LDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)管进行了新型双频平衡类功率放大器和谐波抑制Doherty功率放大器的研究与设计,主要工作和创新点如下:1.首先对本论文的研究背景和意义进行了分析,然后对在射频功率放大器的发展中起着决定性作用的功率管半导体工艺做了阐述,最后介绍了平衡类功率放大器和Doherty功率放大器的发展现状。2.提出了一种新型的双频平衡结构的射频功率放大器,该结构是基于一种可端接任意实数负载的双频分支线耦合器,实现了双频点下从晶体管封装参考面负载牵引得到的阻抗到实数阻抗的变换,由于该实数阻抗不再需要严格的50欧姆,所以双频匹配结构得到了极大的简化。3.为了解决传统Doherty功率放大器在谐波抑制方面的不足,提出了一种具有谐波抑制作用的新型Doherty功率放大器,实现方法主要是考虑到输出匹配结构若非低通结构,在最后的负载处会有大量的谐波产生,所以用一种具有谐波抑制作用的并行双线结构等效替代Doherty功率放大器合路之后的90度阻抗变换线,实现了良好的谐波抑制作用。本文设计实现了新型双频平衡功率放大器和具有谐波抑制作用的Doherty功率放大器,双频平衡功率放大器的第二个频点虽然出现了偏移,但是它依然表现出了良好的双频性能,可用于多频段的无线通信系统中;谐波抑制Doherty功放利用了双线结构的谐波抑制特性滤除了输出的谐波分量,极大地改善了功放的线性度,较传统Doherty功放具有明显的优势。