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二氧化锡(SnO_2)因具有优异的电学、磁学、光学和气敏等特性,是最早获得商用的透明导电氧化物(TCO)薄膜材料,并且在高温电子、透明电子和短波发光等器件领域也具有重要的应用前景。但目前所应用的TCO薄膜通常均为n型半导体材料,而与之相匹配的p型材料很少,多处于科学研究阶段,因而无法实现光电性能良好的透明pn结,阻碍了透明器件的发展。本文针对该现状,结合理论与前人的科研经验,以SnO_2为基体,Sb为掺杂元素,成功制备并获得了p型导电ATO薄膜。采用射频磁控溅射技术,将利用电场活化烧结技术得到的不同