【摘 要】
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取向硅钢薄带有低铁损和高磁感的特点,广泛应用于中高频的变压器铁芯,是电力领域不可或缺的材料。Goss织构的取向偏差和强度是评判取向硅钢磁性能优劣的决定性要素。异常长大的Goss晶粒的取向准确,可以得到磁性能高的取向硅钢成品。本文针对取向硅钢薄带Goss织构异常长大的关键技术,利用金相显微技术(OM)、电子背散射衍射技术(EBSD)设计分析了制备工艺流程中Goss晶粒的异常长大情况;利用透射电镜技术
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取向硅钢薄带有低铁损和高磁感的特点,广泛应用于中高频的变压器铁芯,是电力领域不可或缺的材料。Goss织构的取向偏差和强度是评判取向硅钢磁性能优劣的决定性要素。异常长大的Goss晶粒的取向准确,可以得到磁性能高的取向硅钢成品。本文针对取向硅钢薄带Goss织构异常长大的关键技术,利用金相显微技术(OM)、电子背散射衍射技术(EBSD)设计分析了制备工艺流程中Goss晶粒的异常长大情况;利用透射电镜技术(TEM)和扫描电镜技术(SEM)分析了抑制剂形态和分布。研究了取向硅钢薄带一次再结晶和二次再结晶前期的组织织构和晶界特征,掌握了取向硅钢超薄带中Goss晶粒异常长大的演变情况。为调控Goss晶粒提供一定的理论和实验支持。本文基于二次再结晶退火成功制备取向硅钢薄带,讨论了一次再结晶和二次再结晶前期对Goss晶粒生长的作用。设计了二次冷轧工艺,成功制备出有一次再结晶和无一次再结晶的取向硅钢薄带,成品板厚度为0.15mm。未经一次再结晶的取向硅钢在二次再结晶前期晶粒尺寸细小均匀,Goss晶粒周围存在大量20°~45°的高能晶界。实验研究后认为未经一次再结晶的工艺更容易调控Goss晶粒的生长。在实验室条件下,采用一次冷轧工艺,成功制备出厚度为0.1mm的取向硅钢超薄带。认识到取向硅钢超薄带中不同取向偏差的Goss晶粒都有可能发生异常长大。提供了取向硅钢组织、织构、晶界和抑制剂等相关实验数据,为之后调节控制取向硅钢成品中的异常长大Goss晶粒取向,实现再结晶退火过程中取向偏差大的Goss晶粒不发生异常生长,并之后研究制备工艺和织构演变规律奠定了基础。
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