透明导电氧化物薄膜(TCO)是硅基薄膜太阳电池的重要组成部分，作为太阳电池的窗口层材料，应具有较高的电导率、在可见光区域和近红外区域有高的光透过率以及具有较好的表面形貌。本文主要研究利用金属有机化学气相沉积技术(MOCVD)生长ZnO薄膜，并在前人研究的基础上，通过改进沉积工艺技术有效改善了ZnO薄膜的光电性能和表面形貌，具体研究内容如下:　　 (1)优化ZnO缓冲层(buffer layer)，即在ZnO薄膜生长的初始阶段改变H2O/DEZn的流量比。结果表明:“富氧”的缓冲层降低了薄膜的载流子浓度，从而增加了ZnO∶B-TCO在近红外区域的透过率，薄膜在850nm-1500nm波长范围内的平均透过率达到了83％（含2mm厚玻璃衬底）。同时，薄膜的电学性能和表面形貌同常规条件下生长的ZnO∶B相比变化不大。　　 (2)改变硼烷(B2H6)掺杂剂的掺杂顺序及模式。实验发现硼烷掺杂剂在ZnO薄膜生长的不同阶段所起的作用是不同的。采用“三明治”掺杂结构的ZnO薄膜不仅其迁移率有了较大幅度的提升:由21.4cm2/Vs提高到29.8 cm2/Vs，并且表面光散射能力得到了进一步的提高。另外，薄膜的载流子浓度有一定程度的下降，从而提高了薄膜在近红外和红外光区域的透过。“三明治”掺杂结构的ZnO薄膜较“梯度掺杂”结构的ZnO薄膜相比具有明显的优势。　　 (3)在ZnO薄膜表面沉积一层氧化铟掺锡(ITO)薄膜（热蒸发技术生长）来对ZnO∶B薄膜的表面进行改性，使后续ZnO薄膜沿(002)方向生长。那么后续ZnO薄膜的表面形貌就为平面结构，通过这层薄膜的覆盖，原有的类金字塔表面形貌有了很大的变化，晶粒表面变得比较圆润，有利于后续硅基薄膜的生长。　　 (4)将采用以上工艺沉积的ZnO∶B薄膜应用于非晶硅／微晶硅锗叠层太阳电池。在电池制备条件尚未充分优化的条件下，以ZnO∶B薄膜作为前电极的电池效率达到了9.04％，与以传统SnO2∶F作为前电极的电池相比，电池短路电流密度和电池效率均呈现明显提高。并且电池的开路电压和填充因子相差不大，这就说明ZnO∶B薄膜的表面形貌和光电性能均具有了明显的改善。