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对SOI/SOS进行调研, 了解了SOI器件的工作机理;对辐射机理进行研究,了解SOI器件在抗辐射方面的优点及难点. 为下面的抗辐射门阵列设计下了坚实的基础.对SOI的工艺进行研究,采用改进SOI工艺方法,建立了一套SOI投片工艺.主要的工艺改进包括两方面:PWL(Poly-buffered LOCOS)和沟道工程.进行试验版的设计、流片、测试.在试验版内设计了一组不同沟道长度、相同沟道宽度的单管及环形振荡器.进行SOI器件中几种效应的研究、测量.对LSIS自动布线系统进行深入的学习, 掌握其建库方法.建立了一套进行门阵列自动布线所需要的最基本的库.