质子辐照GaAs/AlGaAs太阳能电池电学特性研究

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【摘要】

：

本文研究了质子辐照GaAs太阳能光电池的电学特性。通过深能级瞬态谱(DLTS),电流-电压(IV),电容-电压(CV)测试,并配合SRIM理论模拟,对不同能量的质子辐照造成的电池损伤特性进行了研究。其主要结果如下:1、通过对辐照样品进行IV测试,发现对于不同能量(40,70,100,170,4000keV),相同辐照强度的质子辐照样品,100keV质子辐照样品损伤最严重,而40keV和4MeV质子

【作者】

：

占芬芬

【机构】

：

复旦大学

【发表日期】

：

2009年05期

【关键词】

：

GaAS太阳能电池缺陷浓度分布 DLTS IV

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