In2Se3纳米线具有强各向异性,良好的电性能,以及理论上较高的载流子迁移率。另一方面,对于由半导体制成的电学元件而言,半导体与金属之间接触的性质尤为重要,这直接影响了电学元件的性能,而到目前为止对于In2Se3纳米线器件中纳米线与金属电极之间接触性能的研究开展较少。本论文以In2Se3纳米线作为主要研究对象,在生长出单晶In2Se3纳米线后,深入研究了和金属电极间能够形成欧姆接触的In2Se3纳米线电学元件的制备方法,并进一步对In2Se3纳米线与金属之间接触的性质进行了研究。首先在管式炉中使用汽-液-固（VLS）方法生长了In2Se3纳米线,确定了生长出的纳米线具有α-2H晶体结构,属于六角晶系,晶格常数a=b=4.025?,c=19.235?,α=?=90?,?=120?,并且具有良好的单晶结构。纳米线直径范围50 nm-300 nm,长度可达几百微米。然后使用电子束光刻技术成功制备了单根In2Se3纳米线电学元件,并对In2Se3纳米线与金属电极之间的接触电阻,In2Se3纳米线场效应晶体管性能进行了研究。解决了In2Se3纳米线与选定金属电极之间难以形成欧姆接触的问题。使用低温退火方法制备了In2Se3纳米线直接与Ag电极形成欧姆接触的电学元件,采用Ag/Ti/Ag三明治电极结构取代了传统的Ti/Ag电极结构。解决了In2Se3器件在退火过程中易出现的硒逸散至真空中,以及Ag原子扩散至纳米线中等问题。此种方法制作纳米线器件无需长时间高温退火,仅需使用加热台在150?C的条件下退火5到15分钟,In2Se3即可与Ag形成良好的欧姆接触。使用本文提出的电极制备方法,不仅能大幅提高In2Se3纳米线器件制备的成功率,并且为其它种类纳米线器件的研究提供了解决类似问题的思路。利用具有欧姆接触的In2Se3电学元件,测量出了In2Se3纳米线与Ag电极间的接触电阻。对测量接触电阻的传统方法进行了改进,采用矩阵方程方式更加精确地提取了半导体纳米线与金属电极之间的接触电阻,这种提取接触电阻的方式具有普适性。提取出的单个接触的接触电阻值在104Ω～103Ω之间,较大的变化范围说明同一根纳米线上不同金属电极接触区的接触电阻并不相同。使用传输线模型对金属与半导体间的接触电阻率和传输长度进行了分析,其接触电阻率在10-5～10-6Ω·cm2之间,传输长度为1～5?m。较高的接触电阻和较长的传输长度都意味着In2Se3纳米线与电极金属之间出现了层间电阻。使用生长的单晶In2Se3纳米线制备了单根纳米线场效应晶体管。发现制备好的In2Se3纳米线晶体管电阻相较于之前的报道值大幅度降低。测量了栅极电压-30 V-30 V范围间In2Se3纳米线场效应晶体管的转移特性曲线,以及源漏电压在0-2.7 V间的电输运特性曲线,并计算出In2Se3纳米线的载流子迁移率约为0.21 cm2 V-1·s-1。