WO₃具有电致变色的特性,但以致密薄膜形态存在的WO₃比表面积小,不能与电解质充分接触进而发生变色反应,导致其存在响应时间长、变色效率低下等问题。基于此,本论文开展了介孔WO₃薄膜的制备和电致变色性能的研究工作。研究思路是,首先采用磁控溅射法制备金属W薄膜,然后进行阳极氧化实验和退火处理,制得具有介孔结构的WO₃薄膜,最后对其电致变色性能进行研究。主要内容如下:（1）以溅射电流和基底温度为变量,采用磁控溅射法在普通玻璃基底上制备W薄膜,并作退火处理,通过利用XRD、SEM、紫外可见分光光度计对薄膜的物相结构、表面形貌、透过率进行表征,优化出工艺参数,具体为:溅射电流为0.14A、基底温度为室温;以该参数在ITO玻璃基底上制备一组W薄膜,得到亚稳态的β-W,其结晶情况较好,晶粒清晰可见,膜层致密,表面平整,整体结构趋于完整。（2）对ITO玻璃上的W薄膜进行阳极氧化实验,氧化时间和电压对介孔WO₃薄膜的孔尺寸和微结构有明显的影响。室温下,氧化电压为20V、时间为50min时制得具有介孔结构的WO₃薄膜,其孔轮廓清晰,分布均匀、紧密,但光学透过率较低。空气中退火处理有助于WO₃薄膜的结晶和形成孔隙率更高的介孔结构,在400℃下对其退火处理3h、5h后,介孔WO₃薄膜的光学透过率都明显提高,其中以5h退火所得样品透过率为最高。（3）对400℃退火处理3h和5h所得介孔WO₃薄膜进行电致变色实验,通过对其光学调制幅度、响应时间特性及记忆存储能力的分析,对比了两组样品的电致变色性能。研究表明:400℃退火处理5h的介孔WO₃薄膜在可见光区的光学调制幅度平均约为71%,而退火3h的WO₃薄膜仅为35%,退火处理5h的介孔WO₃薄膜具备更好的光学调制功能,更短的光学响应时间,和更强的记忆存储能力。这均归因于其具有更高的比表面积和更多的内层孔洞结构。