光电子信息材料是本世纪最受关注的材料之一,光电子集成器件在信息时代有极其重要的作用。由于硅的平面集成工艺已相当成熟,所以从工艺兼容性考虑,用硅基材料作为发光器件将会是最佳的选择,而其获得应用的关键是提高发光效率。单晶硅是间接带隙材料,其带间辐射复合效率非常低,难以达到发光器件的要求,与之相比,纳米硅晶在结构、光学及光电性能方面与单晶硅不同,它在发光器件、光探测器件、光电集成以及传感器等领域有更广阔的应用前景。本文采用射频磁控溅射方法制备富硅二氧化硅薄膜,并在此基础上掺入单质铝,经高温退火,自组装生长纳米硅颗粒,并对薄膜进行了拉曼(Raman)散射、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、傅立叶红外吸收光谱(FTIR)和光电子能谱(XPS)的测定,对吸收光谱也进行分析。结果表明,掺铝样品引入了新的缺陷,发光强度增强。本论文主要测定薄膜的光致发光和电致发光特性。在光致发光测定中,我们得到了位于360nm和675nm的发光峰,并讨论他们的激发谱和发光中心。在电致发光测量中,我们采用ITO作为衬底材料,目前在国内用ITO作为衬底材料的并不多,虽然可以透光,但是不能提供电致发光所需的空穴,测量时,在黑暗的环境下用肉眼即能观察到发光,可重复得到,并对其发光机理进行讨论。