论文部分内容阅读
SiC材料是一种非常有前途的半导体材料，经过科研人员的不断努力单晶品质取得了长足的进步，但是目前仍存在各种问题，其中微管缺陷是一种不可忽视的缺陷类型，本文介绍了SiC晶体的性能、结构和生长工艺；分析了影响晶体结晶质量的因素，包括源料、温度和温度梯度。探讨了微管缺陷的类型和形成原因。初步研究了使用高纯的硅粉、碳粉合成的碳化硅微粉的工艺；使用在SiC粉中掺入Si粉和使用合成的SiC微粉这两种方法进行SiC晶体的生长。使用体视显微镜和X射线衍射仪对实验所得的晶体进行了测试，得到了以下结论：
(1)利用高纯的硅粉、碳粉在高温下合成出了碳化硅微粉，通过在固定的源料粒径、反应压强下改变温度、反应时间、源料Si/C摩尔比，得到这三个因素对产物碳化硅微粉的影响。
(2)通过使用高纯的硅粉、碳粉合成的碳化硅微粉、以及在碳硅粉中掺入硅粉的两种方法生长的碳化硅单晶中的微管缺陷有明显减少。
(3)对生长的单晶片进行X射线衍射，比较不同单晶片同一衍射位置的谱线半峰宽，得出改进的晶体生长工艺对结晶质量有了一定的提高。