在电力变频器和开关电源的设计中,在高性能固态开关装置的设计和实现中,MOSFET和IGBT的开关性能至关重要,要想获得最优化的开关性能,需要对各个方面的所有细节进行细致的分析和考量。尤其当开关速度正变得越来越快的时候,分散于固态器件各PN结及耗尽层之间的寄生电容,电阻PCB电路板中的寄生电感都会在开关的瞬变过程中起重要作用,改变电路响应模式,使得开关曲线性能劣化,驱动电压和电流震荡,器件误导通或误关断等。在本篇论文中,我将详细研究MOSFET的开关暂态过程,在第一二章中对器件内部分布于各结之间的寄生电容电阻,及PCB线路的寄生电感等分布参数进行建模。在第三章中对MOSFET进行开关暂态过程的电路建模和Matlab仿真计算,在第四章中设计实验电路进行验证,分析和总结。在本文中,影响MOSFET的开关动态过程的各重要因素被一一逐个分析,主要包括栅源极寄生电容,栅漏极寄生电容,米勒平台的负反馈效应,驱动电路的寄生电感及驱动电路的电压电流和拓扑结构等。各个因素的作用通过仿真和实验两方面来进行验证,最后在第五章中总结出要获得高性能MOSFET和IGBT开关暂态过程所需要考虑的问题,及驱动电路设计的应该注意的事项和原则。