米勒效应相关论文
功率半导体器件栅极氧化层退化对功率器件的正常运行产生严重影响,不同偏置应力导致栅氧化层退化形式不同,故栅氧化层的状态监测研......
分散在MOSFET栅极、源极、漏极的寄生电感由于封装以及印制电路板(PCB)走线,改变了MOSFET的开关特性.通过仿真分析对比,指出MOSFET......
提出了一种“米勒通路补偿”(MPC)的两级放大器.基于米勒效应的分析,讨论米勒通路补偿的作用并将之应用于两级放大器结构.补偿后的......
高压氮化镓（GaN）与传统硅基器件相比，其禁带宽度更宽，导通电阻及寄生电容更小，因此应用在中小功率场合可有效提高变换器的功率密度和开......
提出了一种＂米勒通路补偿＂（MPC）的两级放大器。基于米勒效应的分析,讨论米勒通路补偿的作用并将之应用于两级放大器结构。补偿后的放大......
与双极型晶体管相比,MOSFET器件更节能、更易于驱动,但在实际应用中,常常发现MOSFET器件的开关速度与数据手册上给出的参数差异很......
设计了输出电压为3．3V，最大输出电流为100mA的无片外电容低压差线性稳压器（LDO）．该芯片采用并行结构的微分器和大米勒电容，通过比例凋节......
高效且能承受长的短路时间的ＩＧＢＴ的市场在不断增长。现有的器件不能使器件设计者同时实现这两个目标。本文推荐的电路通过限制故障电流......
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由于IR2110内部不能产生负电压,因此在采用零电压关断IGBT时容易产生毛刺干扰,对此研究了IGBT体寄生二极管反向恢复过程,并结合IGB......
移相全桥DC/DC变换器普遍应用于大功率场合,由于其开关管能实现零电压开通,大大提高了变换效率。然而滞后臂比超前臂开关较难实现......
为了满足实际应用的需求，设计了600V/50A等级IGBT模块驱动电路，电路重点考虑了由寄生的极间电容引起的米勒效应以及dV/dt对IGBT驱动......
为适应SiC-MOSFET相比Si-IGBT具有更快的开关速度、更低的工作损耗,同时开通阈值电压较低、短路耐量较弱等特点,研究了与其匹配的......
期刊
针对电机等感性负载电路中,金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconduc-tor field effect transistor,MOSFET)关断瞬间......
随着世界各国都发布了更加严格的环保条约，新能源产品得到了广泛使用，电源变换器作为常用的新能源产品受到了人们的重视。作为电源变......
介绍了构成IGBT驱动电路的基本要求,分析光耦驱动门极电路原理及理论计算,阐述了采用光耦驱动产生米勒效应的原理。最后,给出了消......
随着羊毛衫行业及其行业技术的不断发展，电脑横机逐渐替代了手摇横机，在毛衫产业中占有重要地位。由于国内关于电脑横机的研发起步晚......
在电力变频器和开关电源的设计中,在高性能固态开关装置的设计和实现中,MOSFET和IGBT的开关性能至关重要,要想获得最优化的开关性......
IGBT是变频器、逆变焊机等变流设备中不可或缺的器件,随着IGBT制造和应用技术的日趋成熟,已成为当前应用最广泛的功率开关器件,而I......
单极性IGBT驱动电路结构简单，成本低，却存在换流时射极产生负压引起振荡以及米勒效应引起二次开通等问题，针对以上问题设计了一种基于......
