【摘 要】
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该文对不同中子辐照剂量直拉硅(NTDCZSi)在850℃ˉ1150℃退火氧的扩散分布用热转的扩散电阻法(TCSR)进行了测量,通过对氧外扩散曲线的拟合提出:与未辐照硅相比,在100℃以下退
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该文对不同中子辐照剂量直拉硅(NTDCZSi)在850℃ˉ1150℃退火氧的扩散分布用热转的扩散电阻法(TCSR)进行了测量,通过对氧外扩散曲线的拟合提出:与未辐照硅相比,在100℃以下退火氧的外扩散被加快,在1150℃退火又出现了显著地减慢.为深入了解不同辐照剂量直接硅中的本征吸除效应,该文在更广泛的温度范围内用化学腐蚀观察(WE)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、热转换扩散电阻法及大量的计算机辅助分析进行了研究.提出在NTDCZSi中,高温下氧沉淀以非均匀成核为主,辐照引人的空位型缺陷由于可以释放沉淀生长过程中的失配应力而作为非均匀成核的核心.辐照剂量不同的样品清洁区的宽度(DZ)也不同,辐照剂量越大,清洁区宽度越窄.该文给出了在950℃ˉ1150℃退火清洁区宽度的定量表达式.该文提出的理论能很好地解释实验结果,而且这项研究将有助于对硅中氧的许多效应的研究,有助于对NTDCZSi中内吸除工艺进行完善.
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