钙钛矿材料具有优异的光电性质,是近年来非常热门的研究材料,尤其是作为光伏器件的有源层,得到了广泛的关注和研究。钙钛矿CH₃NH₃PbI₃材料光吸收系数高,载流子传输能力强,,具有优异的光电性质,同时其合成方法简单,制备成本低廉等,是极具前景的光电材料。光电探测器的结构类型分为二极管结构和场效应晶体管结构。光电二极管,虽然具有制备方法简便等诸多优点,但由于其结构局限,存在光生激子复合过快、光增益小和信噪比低等缺点。而场效应晶体管结构光电探测器具有电流放大功能,能够弥补光电二极管光增益小、激子复合过快等缺点,同时它还具有易于集成等优势,具有很大的应用潜力。因此,本论文尝试利用CH₃NH₃PbI₃薄膜材料作为有源层来制备场效应晶体管结构的光电探测器,期望为高灵敏度的光电探测器提供理论及应用参考。我们从材料合成到光电探测器的制备及表征,得到的主要研究内容和结论如下:（1）采用“两步法”,用PbI₂的DMF前驱液和CH₃NH₃I的异丙醇前驱液制备了平整致密的CH₃NH₃PbI₃钙钛矿薄膜。通过调节CH₃NH₃I的异丙醇前驱液的浓度来改善钙钛矿薄膜的形貌,并找到了最优的CH₃NH₃I的异丙醇前驱液浓度为10mg/ml。（2）以溶胶-凝胶法制备的SiO₂为介电绝缘层,以自己合成得到的CH₃NH₃PbI₃钙钛矿材料为有源层,制备了场效应晶体管结构的光电探测器Au（Drain,Source）/CH₃NH₃PbI₃/SiO₂/Al（Gate）。在0.37μW/cm²的532nm波长入射光的照射下,器件的响应度R和比探测率D^*分别可达10.72 A/W和6.2×10¹³Jones。（3）制备了Au（D,S）/CH₃NH₃PbI₃和Au（D,S）/CH₃NH₃PbI₃/SiO₂两种结构的光电导型器件,通过对比有光照和没有光照两种情况下源-漏电流的大小,探究了溶胶-凝胶法制备的SiO₂层对CH₃NH₃PbI₃层的保护作用。实验结果表明,SiO₂层对CH₃NH₃PbI₃有源层起到了很好的保护作用,明显提升了器件的性能。