随着现代通信技术的快速发展,为了实现微波通信器件的高度小型化、集成化和高可靠性,需要电子基板材料具有高介电常数（ε_r）、低介电损耗（tanδ）和零介电常数温度系数（τ_ε）的性能。聚四氟乙烯（PTFE）因其低吸水率、宽频介电稳定、低介电损耗和强耐溶剂性而成为一种首选的树脂材料,陶瓷填充PTFE复合材料是研究的热点,以期提高PTFE的介电性能和热稳定性。本实验选取聚四氟乙烯（PTFE）为基材,Na_1/2Nd_1/2TiO₃（NNT）/Li_1/2Nd_1/2TiO₃（LNT）/(Na_x Li_1-x)_0.5Nd_0.5TiO₃（NLNT）陶瓷和玻璃纤维（E-GF）为主要填料,对微波介质基板的制备及其性能展开研究。本文采用单一变量法对复合介质基板进行了系统研究。首先使用固相合成法制备了NNT/LNT/NLNT三种陶瓷,重点研究了烧结温度对陶瓷性能的影响。继而研究了陶瓷粉体的偶联剂表面改性和H₂O₂表面羟基处理。最后研究了陶瓷与GF的填充含量和掺杂比例对陶瓷/GF/PTFE复合基板的性能影响。主要内容如下:1.陶瓷粉体的制备研究:研究了烧结温度对NNT/LNT/NLNT三种陶瓷的晶相、密度、介电常数、品质因数、介电常数频率系数等性能的影响。（a）NNT的最佳烧结温度为1300°C。（b）LNT的最佳烧结温度为1300°C。（c）当掺杂比例x从0.3调节到0.7,(Na_xLi_1-x)_0.5Nd_0.5TiO₃陶瓷的介电常数可以在138.1¹44.1内调节,同时,介电常数频率系数可以在66.5 ppm/°C²38 ppm/°C内调节。2.陶瓷粉体表面改性研究:（a）采用了H₂O₂表面处理技术增加填料粉体表面的羟基数量,使用X射线光电子（XPS）进行了验证。（b）对填料陶瓷粉体进行了表面改性,使用了接触角测试,傅里叶变换红外光谱测试（FTIR）和XPS测试来观察粉体改性效果,最终选定了唯一的偶联剂改性方案:F8261。3.陶瓷/GF/PTFE复合基板研究:（a）NNT陶瓷填料含量为25 wt.%⁴5 wt.%时,NNT/PTFE复合材料表现出优异的介电损耗（≤0.0016）和吸水率（≤0.05%）。（b）LNT陶瓷填料含量为25 wt.%⁴5 wt.%时,复合材料表现出优异的介电损耗（≤0.0016）和吸水率（≤0.02%）。（c）当x从0.3增加到0.7时,研究了(Na_x Li_1-x)_0.5Nd_0.5TiO₃陶瓷对NLNT/PTFE复合材料微观结构和微波介电性能的影响,x=0.6时,获得高介电常数（ε_r=10.04）、较低的介电损耗（tanδ=0.0026）和近零介电常数温度系数（τ_ε=-0.9 ppm/°C）的微波介质复合基板。