透明屏蔽材料是一类兼具透光性和电磁屏蔽性能的优良材料。其中薄膜型的透明屏蔽材料以其透光性好,外表美观,无绕射干扰的优点,在EMI/EMC及TEMPEST领域有着广泛的应用前景,但同时也存在屏蔽频段宽度窄,屏蔽效能较低的不足。因此,如何得到宽频段,高效能的透明屏蔽薄膜材料,是该领域中长期研究的重点。本文研究采用磁控溅射法在玻璃衬底上制备氧化铟锡(ITO)透明屏蔽薄膜。所用的靶材是高纯度(99.99%)的氧化铟锡(wt.90%In2O3+wt.10%SnO2)陶瓷靶。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、X射线能谱仪(EDS)、膜厚测试仪、四探针电阻测试仪、屏蔽效能测试等试验手段对沉积的薄膜样品进行表征,结论如下:(1)薄膜透明屏蔽性能与衬底温度、溅射氧气压,薄膜厚度密切相关。在衬底温度350℃,氧氩比0.5/50时获得的薄膜性能最好;ITO薄膜样品的SEM表明,样品表面较平整,且晶粒也比较致密;薄膜透光率超过80%,电阻率低至1.17×10-4?·cm。(2)随薄膜厚度增加,透光率下降而屏蔽效能上升。薄膜的厚度在200nm时,薄膜的屏蔽效能在150KHz~10GHz全频段内超过20dB,屏蔽效能的峰值达到50dB左右,且透光率88%,具有较好的透光屏蔽性能。(3)衬底单面沉积ITO/SiO2/ITO薄膜、衬底双面沉积均沉积ITO薄膜、衬底单面沉积单层ITO薄膜,三种情况ITO总厚度相同。多层薄膜由于界面散射增多,透光率比单层镀膜低一些;多层镀膜由于界面反射损耗的增加,起到增加屏蔽效能的作用。