本文重点介绍了S波段单电源低噪声放大器的设计、制作与低温调试的过程。在设计的过程中，首先，使用晶体管ATF-34143的单电源偏置，并达到了全频段无条件稳定。然后，在史密斯圆图上分别做出等噪声系数圆、等增益圆和等驻波比圆以确定匹配时可用的反射系数。最后采用史密斯圆图与ADS软件相结合的方法为高性能的放大器设计了匹配网络。其中，晶体管的单电源偏置和全频段稳定是放大器高可靠性的保证，是本文研究的重点之一。制作出的低噪声放大器在常温下，工作频段2.15GHz-2.35GH内测量得到，增益大约22dB，噪声系数小于0.8dB，输入输出驻波比小于1.2。　　 通过大量的实验找出了放大器低温与常温下S参数的关系，发现经过简单调试后该放大器可在低温(77K)下正常工作。测量结果为噪声系数大约0.5dB，增益为23dB，输入、输出驻波比小于1.35。实验证明，该放大器低温下有更好的噪声性能。本文还对低温低噪声放大器设计与制作中出现的问题进行总结和分析，以方便后续的研究工作。