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ZnO是一种直接带隙、宽禁带半导体材料。室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,具有在近紫外发光、光学透明性、电子传导、压电性等独特性质,而成为重要的功能材料。MgxZn1-xO之所以成为一种新型的Ⅱ—Ⅵ半导体材料,同样具备了宽禁带的性质。在兼顾MgO、ZnO材料性能的同时,可以连续的对其带隙宽度进行调节。因此,在低温条件下,对制备的ZnO纳米材料进行Mg的掺杂,并研究其发光性质成为了人们关注的热点。本文采用化学气相沉积法(CVD)在以Au为催化剂的Si衬底上合成了大尺寸的三元