SiC SBD（Schottky Barrier Diode,肖特基势垒二极管）与传统Si基二极管相比具有阻断电压高、通态电阻低、开关损耗小且可耐高温工作等优势,若将其作为高压二极管应用于宇航电子系统中,可显著提高电路工作频率及效率。目前,国内外SiC SBD高压二极管抗辐照指标仅达到200V（1200V耐压标称值）,无法适应高压宇航应用系统的技术需求,是制约新一代航天器发展的关键问题。本文旨在针对市场上现有SiC SBD高压二极管抗辐照指标严重不足的现状,对SiC SBD高压二极管开展单粒子效应仿真及失效机理研究,在此基础上提出相应加固措施。主要的研究工作及成果如下:（1）基于Sentaurus TCAD仿真工具完成了 SiC SBD高压二极管器件模型搭建和验证。在此基础上添加重离子模型及热动力学模型,仿真研究了 1800V SiC SBD二极管器件反向偏置于500V时器件单粒子响应情况,截取粒子轰击器件产生的瞬态电流脉冲峰值时刻二极管内部电场、电势、电流密度及功耗密度分布,发现粒子注入会在器件外延层内部形成一个低阻通道,由粒子碰撞产生的电子空穴对在收集的过程中使得肖特基接触位置和外延层-衬底结处形成电场集中现象,肖特基结处电场强度最大且电场峰值超过了 SiC材料的临界击穿电场,引起此处发生强烈碰撞电离,功耗密度急剧上升至1014 W/cm3量级,造成单粒子退化或单粒子烧毁等器件失效现象发生。仿真结果显示粒子轰击器件引起肖特基接触位置电场集中导致此处功耗密度过大可能是SiC SBD器件单粒子失效现象发生的主要原因。（2）仿真分析了不同偏置条件、LET、粒子射程及入射方向条件下器件单粒子响应情况,探究外部因素变化对器件单粒子效应敏感性影响的普遍规律。仿真发现SiC SBD器件单粒子效应敏感性与所加偏置电压及LET强烈相关,粒子垂直入射情况为器件响应最差情况,粒子有效射程与器件轻掺杂外延层厚度有关,仿真结果与现有实验结果具有相同的规律,证明了 SiC SBD单粒子效应仿真的正确性。（3）探究器件参数改变对SiC SBD高压二极管抗单粒子辐照性能影响情况,包括器件外延层掺杂浓度和厚度、衬底掺杂浓度和厚度、肖特基势垒高度及载流子寿命。仿真结果显示改变外延层参数、衬底参数及肖特基势垒高度对器件单粒子效应敏感性无明显影响,而通过降低载流子寿命至0.1ns量级可加速由粒子轰击产生的电子空穴对复合,显著减小产生的瞬态电流脉冲持续时间,在一定程度上降低SiC SBD器件的单粒子效应敏感性。（4）仿真研究了应用级加固技术串联电阻限流对SiCSBD单粒子效应敏感性影响,结果显示相比不加串联电阻的高压二极管,串联电阻越大,SiC SBD单粒子效应敏感性降低越明显。另外,基于冗余设计思想提出了一种二极管串联加固方法,仿真结果表明二极管串联加固方法相比串联电阻限流在提高SiC SBD器件抗辐照性能方面更为有效,且该方法对原二极管器件工作状态及电学特性影响较小。