有机薄膜晶体管由于在电子标签、射频识别卡和平板显示的驱动电路等中的潜在应用而获得了广泛的关注。有机薄膜晶体管具备了许多无机器件没有的优点—原材料易得、价格便宜、重量轻、制备工艺简单，还可制作成大面积柔性器件。综上所述，有机薄膜晶体管的市场潜力巨大，发展前景广阔，将成为以柔性为特征的下一代电子器件的主导，其未来发展十分诱人。因此，以有机薄膜晶体管作为对象的研究具有一定的重要意义。目前，有机薄膜晶体管的研究主要从实验和理论两个方面展开，在实验研究方面至今已经取得很大进展，据文献报道，用单晶并五苯作有源层的有机薄膜晶体管最大迁移率已经达到35cm~2/Vs。在理论研究方面，特别是对其工作机理的研究也取得一定的进展。本文基于有限元方法对有机薄膜晶体管器件进行模拟，旨在进一步探究其工作机理。该文选取目前广泛采用的并五苯作为有源层的有机薄膜晶体管为模拟对象，其器件结构为顶栅底接触，多数载流子是空穴。模拟参数为电位和载流子浓度。其过程为：首先建立能够表征实际器件工作特性的物理模型，然后从最基本的Maxwell方程出发，根据有机材料的导电特性，得到适用于有机器件的主要方程，即泊松方程、电流密度方程以及连续性方程，再通过确立边界条件最终实现对有机薄膜晶体管在线性区工作的特性模拟，其模拟结果以图示形式呈现出来。另外，本文对底栅底接触的有机薄膜晶体管器件进行了模拟，并将有源层电位分布的模拟结果与采用开尔文扫描探针显微（KPFM）方法实际测得的有机薄膜晶体管电位分布相比较，验证了本文模拟结果的正确性。模拟结果显示，有限元方法可以应用于有机薄膜晶体管器件的模拟，通过模拟来深入研究有机薄膜晶体管的工作机理是可行的。