硅APD控制电路研制

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雪崩光电二极管(Avalanche photodiode,以下简称APD)由于其在盖革模式下可以实现对单光子信号探测的特性被广泛地运用于量子通信、激光雷达、成像探测、地理监测等各个高精尖科技领域,受到了越来越多的关注。随着应用场景的增多,APD工作环境的温度变化使其无法维持稳定的性能。本文针对APD盖革模式下的温度灵敏性及雪崩自持特性带来的问题,形成了硅APD控制电路相关研究工作,具体研究内容如下:(1)为了有效解决硅APD温度灵敏性导致性能参数不稳定的问题,本文以MAX1978集成温控芯片为主体研制出了可以直接调控硅APD管壳内工作温度的温控电路,温控电路利用STM32单片机协同控制和数据传输。(2)基于图形化用户界面应用程序开发框架(QT)开发了硅APD温控电路配套的“温控硅雪崩光电二极管的计数上位机软件”。(3)对温控电路的温控功能进行了验证,实现了 APD器件温度控制精度为±0.1℃,温控范围为-40℃~0℃。除此之外,本文利用所研制的温控电路对一款商用硅APD在实际场景下进行了变温性能表征,并针对表征结果进行物理分析,探究了温度变化对于APD的作用机理,进一步验证了温控电路和上位机软件的可靠性,为硅APD温控提供了新的技术解决方案。(4)为了有效抑制硅APD盖革模式下的雪崩自持特性,本文根据抑制电路的原理设计出一款主动抑制电路,利用APD增强型等效模型在Cadence OrCAD PSpice软件对所设计电路进行了仿真模拟,仿真时序图结果符合设计预期,验证了所设计主动抑制电路的可行性。
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