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当集成电路的特征尺寸减小至180nm或更小时,互连寄生的电阻,电容引起的延迟,串扰和能耗已成为发展高速、高密度、低功耗和多功能集成电路需解决的瓶颈问题。采用低介电常数(low-k)介质薄膜作金属线间和层间介质以代替传统SiO_2介质(k≈4)是降低互连延迟、串扰和能耗的有效方法。非晶氮化碳薄膜(CN_x)是一种很有前景的low-k材料,在力学性能、化学稳定性等方面完全满足集成电路工艺的要求。本文选择p型掺杂单晶硅作为基底,用高纯石墨为靶材,高纯氮气和氩气为工作气体,利用双放电腔微波ECR