GaN材料因其具有宽禁带、高饱和电子速度、高热导性、高温工作等性能优势,在微电子器件领域具有广阔的应用前景。其中,以Al GaN/GaN异质结处二维电子气为核心的高电子迁移率晶体管(HEMT)也一直以来引起人们广泛关注。本文针对p-GaN栅HEMT展开器件仿真研究,主要研究了多沟道p-GaN栅HEMT相关电学特性,取得的研究结果如下:应用Silvaco软件我们对单沟道p-GaN栅HEMT器件电学特性进行了仿真研究,具体研究了Al GaN势垒层中Al组分、GaN栅载流子浓度、p-GaN栅厚度、Al GaN势垒层厚度、电极深度及衬底偏置几个因素对器件特性的影响。研究结果表明,Al组分和Al GaN势垒层厚度会对器件阈值电压有影响,其他参数对阈值电压的影响则不明显。随着Al组分的增大或Al GaN势垒层厚度的增加,器件阈值电压会减小。我们对双沟道以及多沟道p-GaN栅HEMT器件电学特性进行了研究,研究了两沟道间距、电极深度、p-GaN栅载流子浓度、Al GaN势垒层中Al组分几个因素对双沟道HEMT器件特性的影响,研究了多沟道间距变化对器件特性的影响。研究结果表明,双沟道器件下沟道开启电压始终为负值,上沟道开启电压为正值。且器件阈值电压与二维电子气的位置有关,电极深度对其没有影响。另外,随着p-GaN栅载流子浓度的增加,器件夹断电压增大,而上沟道导通电压不变。上沟道Al组分的变化只对下沟道有影响,而下沟道Al组分变化则会改变两沟道的阈值电压,当两沟道Al组分同时变化,上下沟道的阈值电压均会受到影响,且下沟道的变化更剧烈。对于多沟道p-GaN栅HEMT器件,研究结果表明,沟道间距可以明显的影响以及调控阈值电压的大小。