本课题主要内容是完成V波段上变频组件的仿真设计。本文对各种可行方案进行分析，采用高级的仿真软件完成仿真工作并对仿真结果进行分析。 在完成各种上变频结构比较分析后，考虑到上变频器的性能指标要求，国内加工工艺，技术难度和研发周期等原因，最终采用了环形桥耦合单平衡上变频的方式。本文采用倒扣技术安装的Flip Chip封装的肖特基势垒二极管。跟传统封装的器件相比，减少了由金丝键合引起的寄生参数和安装问题，降低了器件的损耗，增强了系统的可靠性。最终的仿真结果满足系统指标要求，而4.6dB的变频损耗给加工留出了很大的余量，提高了系统的可行性。 考虑到双金属E面波导滤波器具有较低的通带插损和良好的带外抑制特性，本文最终选用了双金属E面波导滤波器的方案。仿真结果为：带内插损小于0.5dB，在56GHz上的抑制大于30dB。