由于广泛的实用性以及潜在的应用价值,设计和制备荧光化学传感器已经吸引了越来越多研究者的兴趣。一些特殊的荧光化学传感器可以用于对TNT, DNT等爆炸剂进行检测,这对军事战争,工业生产以及日常生活安全等是十分重要的。聚对苯乙炔(PPV)及其衍生物的结构中具有大量的共轭π键,受激发后电子跃迁很容易产生荧光发射。本文采用垂直脉冲激光沉积(VPLD)法,在常温常压下制备了高荧光强度的改性PPV薄膜,并且利用激光诱导转移技术(LIFT)制备了纳米PPV薄膜。薄膜的形貌,结构和化学组成通过SEM、FTIR、XPS以及荧光光谱进行表征。SEM分析表明激光刻蚀改性的PPV薄膜在一定的制备条件下薄膜表面平整,没有破坏；通过LIFT方法制备的纳米结构的薄膜表面呈现纳米网状结构,纳米线直径在25-30nm左右。FTIR、XPS光谱测试表明激光刻蚀改性薄膜的组成发生了变化,共轭结构增多,相应的导致荧光光谱发生红移。而由于纳米量子尺寸效应占主导地位,LIFT法制备的纳米PPV薄膜的荧光光谱发生蓝移。分别将两种薄膜对淬灭剂苦味酸,TNT进行淬灭响应实验发现,两种薄膜对淬灭剂的响应程度均较未经处理的PPV薄膜大,响应时间更短。