爆炸复合界面内非(纳米)晶及ASB内组织形成机制

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借助透射电子显微镜(TEM)和高分辨电子显微镜(HREM)实验技术和MATLAB计算软件,研究了爆炸复合界面层内的纳米晶与非晶及其形成原因,并定量的分析和探讨了绝热剪切带内纳米晶组织的形成演化机制。 TEM和HREM观察表明,TA2/TA2爆炸复合界面层内共存着大量的纳米晶和非晶。这些纳米晶晶格完整、其内没有缺陷,晶粒尺寸分布在2nm到50nm,其晶界是共格界面,从而可以保证晶界的高强度。界面层内的非晶则呈现出长程无序特征,并与纳米晶共存。利用爆炸复合界面的温度场模型对界面熔层冷却速率的定量分析表明:在TA2/TA2爆炸复合完成的瞬间,冷却速率高达10~8K/s,在非晶态转变温度(T_g)时的冷却速率高达10~6K/s。爆炸复合界面熔层的高冷却速率、爆炸复合过程中界面承受的高压力、高剪切应力都是形成非晶的有利条件。 TEM观察表明绝热剪切带(ASB)中心区域由30-70纳米的等轴晶组成。一种基于力学辅助的旋转式动态再结晶(RDR)机制可以很好的解释ASB内组织的演化过程。将热/力学、再结晶动力学与微观组织演化过程有机结合起来,定量的分析了ASB内纳米晶组织在变形和冷却过程中的演化。 根据能量守恒原理,建立了一个用于计算绝热剪切带内的组织在演化过程中的亚晶尺寸的公式:对于TA2中的绝热剪切带,计算得L=29.4nm,与TEM观察到的绝热剪切带内的晶粒尺寸30-70nm十分符合。
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