本文利用有效质量方法和变分原理，考虑内建电场和量子点的三维约束效应，研究了约束在GaN/AlxGa1-xN量子点中的激子态。详细讨论了激子态和量子点的结构参数以及势垒层中的Al含量之间的关系。结果表明：由自发极化和压电极化引起的内建电场导致量子点的有效带隙减小，电子、空穴产生明显分离，这对量子点的光学特性有重要影响；随Al含量的增加，GaN/AlxGa1-N异质界面处的导带不连续性增强，势垒变高，载流子受到的约束增强，激子结合能增加，电子-空穴的复合率先增大后减小，存在最大值；对给定体积的量子点，随高度的变化激子结合能存在最大值，相应的电子、空穴被最有效约束，激子态最稳定。为了获得有效的电子、空穴复合过程，量子点的高度应该小于5.5nm。 　　研究了InxGa1-xN/GaN量子点系统。由于极化效应而在InxGa1-xN量子点内产生的内建电场将使InGaN材料的能带发生弯曲、有效带隙减小。同时，电场使电子、空穴向相反的方向移动，使得电子和空穴的波函数在Z方向产生显著分离，电子被局域在量子点的顶部，而空穴被局域在量子点的底部。这些都将对量子点的光学性质产生重要影响。数值计算发现：对给定体积的InxGa1-xN/GaN量子点，激子结合能存在一最大值，此时电子、空穴被最有效的约束在量子点内。对不同体积的量子点，最大值的位置在量子点高度L=1.7nm附近取得。这一结果对量子点光电子器件的设计有一定的指导意义；由于自发极化和压电极化而引起的内建电场使电子、空穴产生明显的空间分离，激子结合能减小。在应用InxGa1-xN/GaN量子异质结时，内建电场是一个重要因素，必须加以考虑；量子点的结构参数和InxGa1-xN激活层中的In含量对激子结合能和光发射波长有重要影响。