ZnS是一种重要的直接跃迁型宽带隙化合物半导体材料，其禁带宽度为3.5～3.7eV，大于CdS的禁带宽度(2.4eV)，在可见光以及红外区域具有低的光学吸收和高的折射率，在光电器件方面应用广泛。国内外ZnS的制备方式有许多种，主要有气相方法和液相方法。其中气相方法主要包括磁控溅射法，热蒸发法，脉冲激光沉积方法和离子束辅助沉积方法等。采用磁控溅射法制备的ZnS薄膜的性质与退火处理密切相关，退火处理使薄膜内的原子获得能量进行扩散、迁移，一些点缺陷发生复位，扩散进入品格位置，从而使薄膜内的缺陷减少，薄膜内的应力得以松弛。　　本文采用溅射金属膜在硫气氛下制备ZnS薄膜材料，研究了硫化温度、热处理、衬底材料等因素对ZnS薄膜生长特性的影响，同时利用正电子湮没谱学技术对材料缺陷的敏感性探测，从微观机理的角度出发探索薄膜生长过程中微观缺陷的变化。发现硫化法制备的ZnS薄膜基本以(111)取向为主，在445℃左右成膜质量较优，并且在410℃-440℃硫化温度范围内发现了ZnS薄膜的取向改变的现象。