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基于深度学习的行人重识别方法研究
【机 构】
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华中科技大学
【出 处】
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华中科技大学
【发表日期】
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2019年12期
【基金项目】
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其他文献
可得然胶是一种水不溶性β-D-1,3-葡聚糖，具有加热成胶特性，在食品、生物医药等领域具有广阔的应用前景。可得然胶是土壤杆菌（Agrobacterium sp.）等细菌在氮源缺乏的条件下产生的一种细菌胞外多糖。对于可得然胶的合成机制已有了一定的认识，研究发现，可得然胶由底物UDP-葡萄糖经可得然胶合酶催化合成，编码可得然胶合酶的基因是crdASC，同时受转录因子crdR的正向调控。但是，对于土壤杆
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脂毒是产生肥胖相关疾病的重要原因，脂毒的产生常常伴随着脂代谢失衡。三酰甘油是脂肪酸代谢途径中的重要一环，具有显著的脂毒缓解作用。脂毒的发生机制比较复杂，目前人们对其认识仍不完全清楚。为了更深入了解脂毒机制，我们在油酸敏感菌株pah1△背景下，利用酵母的全基因组必需基因超表达文库，筛选并得到油酸耐受基因，我们发现油酸耐受基因多数都与蛋白质折叠相关，于是我们推测油酸引起的脂毒胁迫可能会损害蛋白质正确折
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引起马铃薯晚疫病发生的病原菌是致病疫霉（Phytophthorainfestans(Mont.)deBary），属于藻界、卵菌门、卵菌纲、腐霉科、疫霉属（Phytophthora）。在马铃薯原产地及其它主产区，其最初观察到的主要是A1交配型，但随着马铃薯种质资源的迁移以及病菌自身的分化变异或其它因素，在许多马铃薯产区逐渐出现了A2交配型，且自育型和A1A2型也开始增加，表明致病疫霉产生卵孢子的潜在
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自 1945 年第一篇人类自身抗原论文发表以来，有关人类自身抗原（autoantigen）的论文已发表超过12万篇。目前我们在1000多篇论文中发现了一些已被证明是健康人和不同疾病患者的重要调节剂或生物标志物。这些有关人类自身抗原的报告出现在分散的数千篇论文和文献中，因此建立一个能囊括所有已发表的自身抗原的数据库是有必要的。本研究使用文本挖掘结合手动筛选的方法构建了AAgAtlas数据库1.0。使
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伴随着我国马铃薯主粮化的全面推进，将给作为马铃薯主产区的北方地区带来更多的机遇与挑战。但由致病疫霉（Phytophthorainfestans(Mont.)deBary）引起的马铃薯晚疫病是该区域马铃薯生产中的重点防控对象。而该致病菌的群体表型、遗传结构多样性与病害的发生和流行程度密切相关。因此本试验旨在通过以上两方面的研究为当地马铃薯晚疫病的防控和科学育种提供一定参考。 本试验的主要研究内容为
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水泥生产方法演变到今天，已经进入预分解窑生产技术占主导地位的时代。但预分解窑生产技术仍在继续发展和进一步完善中。生料的分解特性以及燃料的燃烧特性是工业分解炉优化设计、优化操作以及新型分解炉开发的重要依据。同时，随着水泥工业NOX排放标准的提高，开发水泥预分解窑系统低NOX技术及装备已成为必然趋势。所以，开展水泥预分解窑系统内生料分解、煤粉燃烧动力学及NOX生成与控制研究具有重要意义。本论文总结和分
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该课题目的是研究大功率微波功率合成器,为该实验室所进行的微波化学反应提供圆波导大功率微波源.为此,我们使用磁控管作为功率合成器微波源,将多个功率较小的磁控管通过同轴线探针馈入到圆波导中,根据理论分析和数值计算结果,适当调整探针位置,实验功率合成.该论文包括的主要内容为:首先,介绍微波等效电路的方法,分析柱形波导中的模式电压和模式电流,对圆波导中的模式函数进行具体的展开,在此基础上,推导出圆波导中同
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该文主要是利用LaB来制备有机电致发光器件的透明阴极,该文采用两种加热的方法来制作:分别是利用LaB阴极和氧化物阴极作为轰击电子源来制作LaB透明阴极.论文首先对有机电致发光(OLED)的发展历史作了一个简要的回顾,对OLED的发光机理和彩色方案进行了阐述;接着,第二章阐述了论文所要运用的理论知识,主要是透明有机电致发光(TOLED)的发光机理、LaB的特性、氧化物阴极的理论等;第三章阐述了如何制
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颜色是图像内容组成的基本要素,是人识别图像的主要感知特性之一.基于颜色直方图的检索方法是使用最为普遍的方法,该过程主要涉及图像颜色空间的选择、颜色空间的量化、颜色直方图定义以及直方图空间中距离的定义等.该文提出了一种基于分块策略的检索方法,取得了较好的效果.纹理是图像中一个重要而又难于描述的特征,通常采用统计方法、结构方法以及频谱方法进行分析.灰度共生矩阵法是一种有效的统计方法,该文实现了从灰度共
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NAND闪存由于其高性能、低能耗、高存储容量和非易失性等优点现已成为各类便携式数字设备和企业数据中心的重要存储介质。多级单元(Multi-Level Cell，MLC)技术通过量化存储单元中电荷数量来提高NAND闪存的存储容量。但是，由于MLC单元中电荷等级比单级单元(Single-Level Cell，SLC)更加紧密，单元间干扰和电荷泄漏等噪声导致MLC闪存更容易出现错误。特别地，随着NAND
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