巨磁阻抗（Giant Magneto-impedance，GMI）效应是当今磁电子学领域的研究热点之一，在信息记录和高灵敏度微型磁传感器等领域具有广阔的应用前景。三明治膜中磁性层各向异性场的大小和方向对其GMI效应起着关键作用。各向异性场很小时，GMI比不出现峰值，曲线单调下降；而各向异性场很大时，曲线十分平坦，没有GMI效应。 本文研究了具有磁致伸缩性能的TbDyFe薄膜对磁性层的各向异性场以及三明治膜GMI效应的影响。 首先，用真空蒸镀法在Si片上制备了不同厚度的TbDyFe薄膜，然后将其真空退火，退火温度为600℃。通过X射线衍射分析以及磁性分析比较制备态与退火态的结构和性能，发现600nm的退火态样品具有较好的晶格结构，形成了明显的RFe₂Laves相，有较强的磁致伸缩性能；并且在很低的磁场下，样品就具有较大的磁致伸缩性能，产生较大的张应力。 其次，在TbDyFe薄膜上蒸镀一定厚度的超坡莫合金，分析两层膜界面扩散情况。通过AES对制备态和退火态薄膜的分析，发现退火态的两层膜界面相互渗透，形成了界面过渡层。 最后，我们在制备好的TbDyFe薄膜上蒸镀三明治膜，形成四层膜。测量结果表明：由于磁场作用下的磁致伸缩层的应力效应影响了三明治膜中的各向异性场，使三明治膜的GMI效应增大了4倍。而280℃下真空退火的四层膜，相比三明治膜的GMI效应有所增大，但比制备态四层膜有所降低，其原因可能是TbDyFe薄膜与磁性层的扩散。