碳化硅禁带宽、击穿电场大、热导率高、电子饱和漂移速度快，在高温、高频、高辐射环境下有重要的应用前景，4H-SiC双极晶体管越来越受到人们的重视。本文对4H-SiC BJT的共射极电流增益及交流频率特性进行模拟和分析。主要工作如下： 建立了适用于4H-SiC BJT直流模拟的结构和物理模型，并用此模型对器件的直流特性进行模拟。考虑了SiC/SiO2界面态和发射区-基区外延层界面态引起的基区表面复合和发射结空间电荷区复合，建立了基于发射极电流集边效应的数值模型。该模型准确地反映了器件的真实工作特性。研究了影响器件直流增益的各种因素：分析了两种界面态对电流增益的不同影响，发现发射区.基区界面态是限制4H-SiC BJT电流增益的主要原因。对器件的高温直流特性进行了讨论，证明了4H-SiC BJT具有在300℃以上高温工作的能力。最后分析了器件电流增益随时间的退化，用简单的理论解释了堆垛缺陷对电流输运的影响。基于优化的器件模型，利用二端口网络分析和S参数模型，对4H-SiC RF BJT进行了交流小信号分析，提取的器件截止频率，最高振荡频率分别为3GHz和7.3GHz，证明了4H-SiC RF BJT的L波段RF应用潜力。同时分析了界面态对频率特性的影响，结果表明，界面态的存在并没有降低fT和fmax，优化基区的设计才是频率特性提高的关键。 本文建立起来的模型模拟得到的结果和国外的实验结果较为一致，证明了在模拟软件中建立的数值模型是可信的，为进一步在实验中对4H-SiC双极晶体管进行研究提供了有力的支持。