现在研究热门的超高密度光存储也只是研究记录符一个维度的变化,如只研究深度D变化或者角度θ变化。本文设计并描述了一种能够同时利用深度和角度来调制光信号的多维记录符,而且首次提出了利用Stokes参量来同时表征其深度和角度的变化的方法,而达到增大光学存储密度的目的。进行相关的计算表明:Stokes参量信号能够很好的表征该多维记录符,其中Stokes参量中的S0和S1与多维记录符的角度以及深度有很大的关联。记录符深度和角度对于S1影响的比重接近,而深度对于S0的影响远大于角度。利用S0和S1关于深度以及角度的单调递增区间,记录符深度和角度能够很好的区分。此外,引入扫描过程中脉冲宽度ΔW,可以将区别的角度范围增大一倍,这是由于角度关于ΔW的单调递增区间与S1单调递增区间不同,采用该方法能够区别的角度范围增大到[-90°,90°],这比现在只利用光强检测的角度范围增大了4倍。而且在该单个多维记录符的基础上,设计并计算了更多维度的组合记录符及其阵列结构,仍旧采用Stokes参量来表征其光学特性。此外,为了制备该多维记录符结构,设计了一种简易的相变光刻系统,并成功验证了该系统在Ge2Sb2Te5非晶薄膜上制备出多维光存储记录符图案的可行性。系统中基于相变材料Ge2Sb2Te5的光学特性,提出了一个快速、高精度且实现成本低的自动聚焦方法。最终利用该系统成功地得到了线宽为0.69μm的GST晶化图形,该尺寸远小于激光聚焦光斑。而且利用该系统获得的晶化的Ge2Sb2Te5薄膜经过1wt%的NaOH溶液刻蚀后,成功制备出记录符图案的坑结构。