含有二次电子发射（SEE）的等离子体与壁面的相互作用复杂,因为二次电子可同时改变两者状态而直接影响等离子体的应用,所以SEE是等离子体科学技术领域的重要课题。伴有二次电子发射的等离子体与壁相互作用时,在等离子体的电子温度大于20 eV的介质壁,以及大于50～100 eV的金属壁情况下,壁面受强二次电子发射的影响,主要应用于以下几方面:聚变等离子体,射频/直流偏压的等离子体工艺放电,空间等离子体和尘埃等离子体,霍尔推进器和螺旋波等离子体推进器,高功率微波电子器件的空心阴极以及次级电子倍增击穿和表面放电。电学悬浮壁的强二次电子发射能够改变等离子体与壁相互作用以及等离子体性质。强的二次电子发射能够明显地增加从等离子体到壁的电子热通量,从而导致1)壁加热和壁蒸发,2)体等离子体冷却乃至熄灭。针对SEE对等离子体与壁的界面产生的不利影响,本文提出在材料表面生长垂直石墨烯（VG）纳米片的方法来抑制材料表面的SEE。论文的主要研究和结果如下（1）基于VG样品的表面形貌特征与孔阵类似,本文主要从VG纳米片的深宽比和生长密度两个方面来研究模型结构参数对表面二次电子产额（SEY）的影响。深宽比是指VG的生长高度与VG片间距的比值,生长密度用VG顶端表面积与基底表面积的比值表示。（2）采用COMSOL仿真模拟了 4个不同深宽比和4个不同生长密度的VG模型的SEY。仿真的结果表明,在同一生长密度,不同深宽比的VG模型组中,深宽比越大,SEY值越小,深宽比小于一定值时不仅不能达到抑制SEE的作用,反而会使SEE曾多;在同一深宽比,不同生长密度的VG模型组中,SEY随生长密度的变化不是单调的,存在一个最有效抑制SEE的最佳生长密度。（3）扫描电子显微镜（SEM）表征了两个不同的VG样品的SEY与仿真结果进行验证。SEM像素灰度表征的SEY结果表明深宽比较大,生长密度较小的VG样品的SEY值较低,这与仿真结果相吻合。综上所述,本文在很大程度上采用材料表面构造VG结构,有效地抑制了 SEE,为具有自主知识产权的选用壁材料性质实现主动控制等离子体性质的新技术的研发提供必要的科学依据、技术支撑。