半导体量子点因独特的结构特性,其电子运动在空间三个方向上受到限制,因此能级呈现分立状态,素有“人工原子”之称,在多个领域有重要的应用价值。而激光、存储器以及量子计算等领域往往要求控制量子点的位置分布。现阶段控制量子点位置的技术主要是在图形化衬底上生长量子点。但这项技术引入的缺陷、表面氧化以及化学污染都很严重。课题组创造性地将分子束外延技术和激光干涉技术原位结合,本文在激光干涉原位图形化刻蚀加工量子点方面做了进一步研究。在As4氛围下进行了周期性量子点的实验验证。实验发现,As4氛围下制备的周期性量子点几何形态上存在明显的“卵形”形变。考虑到As2氛围能够有效抑制In原子对激光的响应活性,本文在As2氛围下进行周期性量子点的制备。为了提高相干增强区域量子点的脱附效率,降低相干相消区域量子点的形变,本文通过提高衬底温度并降低激光功率,最终取得了形态对称的周期性量子点。利用As4氛围下In原子光致迁移行为具有极高的各向异性这一特点,本文在As4氛围下使用激光对量子点进行原位整形研究。结果表明:对应于一定强度的激光,量子点衬底温度存在一个整形阈值,当衬底温度高于阈值时,激光可在不破坏原子层的条件下,对量子点进行高效整形修饰。