本文采用射频磁控溅射方法制备了(Pb_1-x-yLa_xCa_y) Ti_1-x/4O₃ （PLCT）薄膜。在薄膜溅射前,成功制备出溅射用靶材。利用XRD、SEM、XRF手段分别对靶材的相结构,显微结构,元素含量进行分析。利用广角X射线衍射技术对不同溅射工艺下PLCT薄膜的相结构进行了研究;采用扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）分别观察了薄膜的表面形貌;利用掠入射X射线衍射（GIXRD）测量了薄膜的残余应力。最后使用Radiant Premier LC型多功能铁电性能综合测量仪测量了PLCT薄膜的电滞回线。薄膜成分分析表明,可以通过改变粘贴在大靶上不同成分小靶的数量来改变整个复合靶材的成分,以达到在溅射过程中控制PLCT热释电薄膜的元素含量的目的。X射线衍射的研究结果,在溅射过程中,通过调节射频磁控溅射工艺可以制备焦绿石含量低及纯钙钛矿相的PLCT薄膜。在PbTiO₃中掺入La和Ca可以有效改变薄膜的晶格常数,这是因为在ABO₃型化合物中,钙离子、镧离子取代了A位的铅离子,造成晶格失配和不对称取代。实验证明,在PbTiO₃中掺入过多La不利于薄膜钙钛矿结构的形成;而较低的溅射气压和较长的溅射时间有利于PLCT薄膜纯钙钛矿相的形成。通过扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）对薄膜的表面形貌的观察,对这一现象进行了解释。利用SEM, AFM对PLCT薄膜表面进行了分析。薄膜的表面平整,无裂纹、孔洞,其微观结构均匀致密,颗粒大小均匀一致。利用XRF分析了PLCT薄膜的Pb、La、Ca、Ti原子百分比,可以看出其比例接近于设计的化学式摩尔比。在溅射制备薄膜的过程中,薄膜的厚度、残余应力的表征至关重要,在试验中,我们利用X射线小角散射测量薄膜厚度,利用掠入射X射线衍射（GIXRD）测量薄膜残余应力,通过对不同溅射时间薄膜厚度进行测量,测的溅射功率150W的情况下,薄膜的沉积速率大约为3-4nm/min。基于掠入射X射线衍射（GIXRD）的残余应力测量表明,射频磁控溅射PLCT薄膜中为压应力。对于射频磁控溅射薄膜而言,溅射时间及溅射气压对薄膜中的残余应力有着重要的影响,溅射气压的增大,溅射时间的缩短,都会导致薄膜中的残余压应力增加。