4-维轴对称黑洞熵的拓扑起源及其拓扑相变理论

来源 :上海大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:bhkj1gjdgjsj456854
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
本论文从Gauss—Bonnet—Chern定理出发,计锋了4-维轴对称黑洞的拓扑结构、熵的拓扑起源以及相应的拓扑相变珲论,并以Kerr-Newman黑洞为例,得到Kerr-Newman黑洞的Euler示性数是0或2。利用黑洞熵和Euler示性数的关系,我们发现Bekenstein-Hawking熵足拓扑上的最大熵。随着黑洞的质量、比角动量、电荷的变化,Kerr-Newman黑洞将从环状的拓扑结构演化剑球状的拓扑结构。在这个过程中,Euler示性数和熵将发生不连续的变化,从而导致Kerr-Newman黑洞发生一级拓扑相变,并得到了相应的相变潜热与黑洞的质量、比角动量和电荷之间的关系。我们估算出由恒星演化所形成的黑涧的相变潜热,它的数量级为1054erg,正好位于γ爆的能量级范围内,这为γ爆的起源提供了一种新的解释。
其他文献
ZnS材料性质温和,具有独特的光电性质,近年来在生物医学等领域倍受关注。采用生物模板来制备半导体纳米晶,能耗低、污染小、操作过程简单,所制备的纳米材料生物兼容性好且形
ZnO是一种六角纤锌矿结构的直接带隙宽禁带半导体材料,室温下其禁带宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV,具有优良的光电性质。ZnO发光机理和导电机理都和其中的缺陷或杂质有密切
ZnO薄膜是一种直接宽带隙半导体材料,具有较高的激子束缚能(60eV),即使在室温条件下激子也不会分解,具有多种用途,因此近年来对ZnO基半导体材料的研究越来越为人们所重视,为了研究沉积气压对磁控溅射制备Zno薄膜的结构与性能的影响,本文采用CS-400射频磁控溅射法在不同的沉积气压(0.5Pa-5Pa)下分别在Si(111)及石英基底上成功的制备了ZnO薄膜和25%N_2气氛下Zn_(0.975
伴随着人工量子器件微小型化、可集成化的技术越来越成熟,人们已经可以在很多平台上实现人工超材料,例如,光子晶体,声子晶体,超导量子电路,冷原子等。人工超材料有着固体材料不可比
行星际激波或太阳风中的间断面是引起地磁急始的源,而伴随激波或间断面增加的太阳风动压会触发全球大尺度的极光瞬间发射(又名激波极光,shock aurora)。当行星际激波传播到向日
自从超导电性发现以来,因其独特的物理学性质,使超导材料研究具有潜在的经济价值和广阔的应用领域,特别是铜氧化物高温超导体的出现,使超导临界温度进入了液氮温区,进一步掀起了高
电子焊接封装器件的连接可靠性一直备受人们关注。各种产品器件向无铅化、精巧化以及便携化发展,焊接封装结构中的连接面问题再一次引起人们的注意。目前不仅仅是金属与金属结