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给出了E-B之间复合介质L型侧墙的形成技术。这种工艺技术控制容易，成品率高，均匀性好。已将这种工艺技术应用于双层多晶硅双极晶体管的制作工艺中，器件具有良好的电学特性
复合介质L型侧墙形成技术
【摘 要】
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给出了E-B之间复合介质L型侧墙的形成技术。这种工艺技术控制容易，成品率高，均匀性好。已将这种工艺技术应用于双层多晶硅双极晶体管的制作工艺中，器件具有良好的电学特性
【机 构】
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北京大学微电子研究所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2001年1期
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