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用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为1035cm^2／(V·s)，二维电子气浓度为1．0×10^13cm^-2，77K迁移率为2653cm^2／(V·s)，二维电子气浓度为9．6×10^12cm^-2的AlGaN／GaN高电子迁移率晶体管材料，用此材料研制的器件(栅长为1μm，栅宽为80μm，源一漏间距为4μm)的室温非本征跨导为186mS／mm，最大漏极饱和电流密度为925mA／mm，特征频率为18．8GHz。